Vietnamese 
English MOSFET N-CH 100A 100V OPTIMOS3 TO263
- Số cổ phiếu RS:
- 8275237
- Buôn. Số:
- IPB042N10N3GATMA1
- Nhãn hiệu:
- Infineon
Pháp luật và Tuân thủ
RoHS Status: Exempt
Tuyên bố sự phù hợp
Tuyên bố này xác nhận rằng sản phẩm chi tiết dưới đây tuân thủ các thông số kỹ thuật hiện được công bố trên phương tiện RS và phải tuân theo các điều kiện chất lượng nghiêm ngặt được áp đặt bởi các hệ thống quản lý nội bộ của RS Components. Hơn nữa và khi áp dụng, nó xác nhận rằng tất cả các thiết bị bán dẫn có liên quan đã được xử lý và đóng gói trong các điều kiện đáp ứng các yêu cầu hành chính và kỹ thuật của các tiêu chuẩn kiểm soát tĩnh điện ANSI / ESD S20.20 và EN61340-5-1.
| Số cổ phiếu RS | 8275237 |
| Mô tả Sản phẩm | MOSFET N-CH 100A 100V OPTIMOS3 TO263 |
| Nhà sản xuất / Thương hiệu | Infineon |
| Số nhà sản xuất | IPB042N10N3GATMA1 |
Các thông tin nêu trên liên quan đến sản phẩm được bán vào hoặc sau ngày hiển thị bên dưới.
THÀNH PHẦN RS
| Ngày | Jun 22, 2026 |
Thành phần RS Pte Ltd Robinson Road, PO Box 1582, Singapore 903132
Thông tin chi tiết sản phẩm
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
Thông số kỹ thuật
| Thuộc tính | Giá trị |
| Nhãn hiệu | Infineon |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Package Type | D2PAK (TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Pin Count | 3 |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.4 m? |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5 V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2 V |
| Maximum Power Dissipation | 214 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 88 nC @ 10 V |
| Height | 4.57 mm |
| Width | 9.45 mm |
| Transistor Material | Si |
| Series | OptiMOS 3 |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Length | 10.31 mm |