Vietnamese 
English N-Channel MOSFET, 300 A, 100 V, 8-Pin HSOF Infineon IPT020N10N3ATMA1
- Số cổ phiếu RS:
- 9064356
- Buôn. Số:
- IPT020N10N3ATMA1
- Nhãn hiệu:
- Infineon
Pháp luật và Tuân thủ
RoHS Status: Not Applicable
Tuyên bố sự phù hợp
Tuyên bố này xác nhận rằng sản phẩm chi tiết dưới đây tuân thủ các thông số kỹ thuật hiện được công bố trên phương tiện RS và phải tuân theo các điều kiện chất lượng nghiêm ngặt được áp đặt bởi các hệ thống quản lý nội bộ của RS Components. Hơn nữa và khi áp dụng, nó xác nhận rằng tất cả các thiết bị bán dẫn có liên quan đã được xử lý và đóng gói trong các điều kiện đáp ứng các yêu cầu hành chính và kỹ thuật của các tiêu chuẩn kiểm soát tĩnh điện ANSI / ESD S20.20 và EN61340-5-1.
| Số cổ phiếu RS | 9064356 |
| Mô tả Sản phẩm | N-Channel MOSFET, 300 A, 100 V, 8-Pin HSOF Infineon IPT020N10N3ATMA1 |
| Nhà sản xuất / Thương hiệu | Infineon |
| Số nhà sản xuất | IPT020N10N3ATMA1 |
Các thông tin nêu trên liên quan đến sản phẩm được bán vào hoặc sau ngày hiển thị bên dưới.
THÀNH PHẦN RS
| Ngày | Jun 20, 2026 |
Thành phần RS Pte Ltd Robinson Road, PO Box 1582, Singapore 903132
Thông tin chi tiết sản phẩm
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
Thông số kỹ thuật
| Thuộc tính | Giá trị |
| Nhãn hiệu | Infineon |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Configuration | Single |
| Forward Diode Voltage | 1 V |
| Package Type | HSOF |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.7 mΩ |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Length | 10.58 mm |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 156 nC @ 10 V |
| Channel Type | N |
| Height | 2.4 mm |
| Width | 10.1 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Power Dissipation | 375 W |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Series | OptiMOS 3 |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Pin Count | 8 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Transistor Material | Si |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 A |
Related products
-
N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Infineon IRFS4010TRLPBF
VND196,885.43Đóng gói (1 Đóng gói of 2 Mỗi) -
N-Channel MOSFET, 1.8 A, 60 V, 3 + Tab-Pin SOT-223 Infineon BSP295H6327XTSA1
VND119,051.87Đóng gói (1 Đóng gói of 5 Mỗi) -
N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-247 Infineon SPW20N60S5FKSA1
VND184,122.40 -
N-Channel MOSFET, 47 A, 650 V, 3-Pin TO-247 Infineon SPW47N60C3FKSA1
VND351,924.86
